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    鋁碳化硅材料(AlSiC)的功率微波封裝體

    鋁碳化硅(AlSiC)材料微波載波片鋁碳化硅材料是微波封裝的理想材料,在功率微波以及單片微波集成電路方面的應用已經有超過30年的歷史。

    鋁碳化硅材料的熱膨脹系數(CTE)為7~8ppm/℃,良好兼容微波器件,封裝時不需要進行熱應力補償設計,同時,因為省掉熱應力補償過度層的使用,也使模塊的總體散熱能力得以加強。

    鋁碳化硅材料產品的重量是同形狀體積銅產品的1/3,鉬銅產品的1/5,鎢銅產品的1/6,結合鋁碳化硅的高比剛度性能,使鋁鋁碳化硅(AlSiC)射頻發射器基座碳化硅封裝的微波模塊在航空、航天等對重量、可靠性敏感的領域得到認可,同時,也使鋁碳化硅材料封裝的微波模塊能更為良好地工作于振動等惡劣工作環境。

    鋁碳化硅材料成本相對于鉬銅、鎢銅要低,異形件的成形能力、大型件的成形能力等方面也要遠優于鉬銅和鎢銅。

    鋁碳化硅材料質地致密,是一種達到軍工氣密性要求( 1 x 10-9? Atm-cm3/s )的材料。用于氣密封裝時,為方便使用傳統工藝封蓋,通常會在鋁碳化硅管殼內側鋁碳化硅(AlSiC)信通編解碼器襯底搭接其它金屬材料的焊接環。相關情況請咨詢公司技術人員。


    鋁碳化硅(AlSiC)材料優勢:

    • 陶瓷的熱膨脹系數,完美匹配芯片;
    • 超越鎢銅和鋁合金的熱導率;
    • 鑄鐵的強度與45號鋼的韌性;
    • 鋁一樣輕,比鈦合金輕一半;

    鋁碳化硅早期應用于美軍機雷達芯片襯底,用于替代鎢銅。替代后散熱效果優異,并且使雷達整體減重10公斤,這使鋁碳化硅材料得到重視。

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